芯片級AEC-Q100可靠性認證測試系列培訓課程
培訓綜述
隨著汽車智能化、電動化趨勢的加速，車載芯片的可靠性已成為保障整車安全與性能的核心基石。AEC-Q100作為全球公認的車規級芯片可靠性認證標準，對芯片設計、測試、生產及持續質量管控提出了嚴苛要求。然而，行業普遍面臨標準理解不深、測試流程不完善、認證成本高、設計階段缺乏可靠性前瞻布局等挑戰。本培訓基于講師在車規芯片領域15年以上的實戰經驗，系統解析AEC-Q100標準的核心要求、測試方法、認證流程及設計階段的關鍵可靠性布局，幫助企業與技術人員構建從芯片設計到量產認證的全鏈路可靠性能力，實現從“通過測試”到“持續可靠”的跨越，為汽車芯片的高質量落地提供技術保障。
培訓學習要點
· 掌握AEC-Q100標準體系的核心內容、測試群組分類及認證流程
· 深入理解AEC-Q100關鍵測試項（如HTOL、溫度循環、ESD等）的參數設置、判據要求及常見失效模式
· 學習車規芯片變更后的AEC-Q100驗證方法與流程（如PCN變更、新封裝認證）
· 掌握從芯片設計階段即嵌入AEC-Q100要求的可靠性設計方法（如MEMS結構、封裝互連、電氣安全機制等）
· 了解AEC-Q100與可靠性浴盆曲線、IATF16949體系、功能安全設計的關聯與協同
· 學習認證后的持續可靠性管控方法，如ORT監控、降本增效設計、生產質量閉環管理
培訓適合人員
· 車規芯片設計工程師、可靠性工程師、測試工程師
· 芯片封裝與工藝開發人員
· 汽車電子零部件供應商的質量與認證工程師
· 芯片項目管理人員、產品經理
· 從事汽車半導體認證、審核與合規工作的專業人員
· 高校及科研機構中從事集成電路可靠性研究的師生
培訓大綱
一、AEC-Q100條款深度解析
1. AEC是什么？AEC-Q標準系列有哪些
2. AEC-Q100包含哪些可靠性測試內容
3. AEC-Q100測試內容詳細分析
3.1 汽車行業為什么需要AEC-Q100
3.2 AEC-Q100關鍵數字設定與芯片工作溫度等級定義
3.3 AEC-Q標準測試流程
3.4 AEC-Q100測試群組有哪些
3.5 AEC-Q100具體測試項目，包含測試組分類、判據要求及認證條件等
3.6 AEC-Q100與可靠性浴盆曲線的關系
3.7 AEC-Q100認證適用產品， 測試認證需要做哪些準備？
二、AEC-Q100條款深度解析，認證流程和將本增效設計
1. 如何判斷一款芯片是否要做功率溫度循環
2. 有哪些測試涉及到硬件/夾具制作？
3. 車規芯片變更，如何通過AEC-Q100驗證？
三、AEC-Q100標準與實戰銜接
1. 變更項目驗證流程，以ASSEMBLY中New Package為例講解
2. 重點拆解高頻測試項（如 HTOL 高溫工作壽命等）的參數設置（溫度、時長、應力條件）、合格判據、常見失效模式
3. 老化測試系統設計，設計要點
4. AEC-Q要求的Mission Profile實例講解
四、認證后的延伸：從 “通過測試” 到 “持續可靠”
1. AEC-Q100轉ORT的要求
2. 車規芯片PCN變更
3. SER軟失效測試及其系統設計
4. 芯片級與系統級ESD測試的差異性案例
五、AEC-Q1007大類測試的設計實施框架
1. AEC-Q100在設計階段針對性布局：
1.1 環境應力測試（如溫度循環、熱沖擊）方面
1.2 加速壽命模擬、耐久性測試（如高溫工作壽命、濕度偏壓）方面
1.3 電氣特性測試（如電壓范圍、輸出精度）方面
1.4 封裝組裝整合、封裝特性測試（如密封性、引線鍵合強度）方面
1.5 芯片制造特性測試（如晶圓級可靠性、光刻精度）方面
1.6 輻射耐受性測試（如總劑量輻射、單粒子效應）方面
1.7 可靠性驗證測試（如振動、機械沖擊）方面
六、針對汽車mems功能安全芯片，設計環節落實 AEC-Q100標準的的具體方面和措施
1. MEMS 結構設計：應對機械可靠性與環境應力（關聯 A 組、G 組測試）
2. 封裝與互連設計：保障機械 - 電氣接口可靠性（關聯 C 組測試）
3. 電氣安全機制設計：匹配功能安全目標（關聯 E 組、D 組測試）
4. 可靠性仿真與驗證：提前暴露失效風險
5. 文檔與流程合規：滿足認證追溯要求（關聯附錄 2、4）
6. MEMS 功能安全芯片與AEC-Q100相關的特殊設計考量
七、AEC-Q100可靠性認證及設計要求詳述
1. 按照7大類41個測試項中重點測試項的設計要求逐個展開分析
八、非易失性存儲耐久、數據保持性、工作壽命--EDR的設計要求
1. AEC-Q100要求：需驗證編程 / 擦除（P/E）循環、數據保留（如 125℃下 10 年）
2. 核心關注設計點/設計階段需驗證的內容：NVM 細胞結構：編程 / 擦除（P/E）循環次數（如閃存的浮動柵氧化層）；數據保留的電荷陷阱穩定性（高溫下的電荷泄漏抑制）。
九、非易失性存儲耐久、數據保持性、工作壽命--EDR的設計要求
設計實施要點：
1. NVM單元（如閃存浮動柵）需設計足夠厚的氧化層（≥8nm），仿真 P/E 循環后的電荷陷阱穩定性；
2. 數據保留電路需設計溫度補償機制（如參考電壓隨溫度校準），驗證高溫下的電荷泄漏率（符合 Q100-005 要求）。
3. 對集成校準數據的OTP存儲器，設計冗余存儲單元（每bit數據存儲3次），并采用多數表決機制糾錯。
4. 寫入電路設計電壓鉗位（≤3.3V），避免EDR測試（10萬次擦寫循環）中的過壓擊穿。
5. 驗證方法：執行 10 萬次擦寫循環后，通過錯誤注入測試驗證數據恢復率 100%。
培訓講師
本次培訓講師擁有超過15年集成電路半導體行業技術研發與管理經驗，是AEC-Q100車規芯片可靠性認證及全流程測試領域的資深專家。講師專注于車規級芯片從設計開發到量產認證的全生命周期技術實踐，在可靠性標準解析、測試系統設計、老化流程方案及生產質量管控方面具備深厚的專業功底與實戰經驗。
講師畢業于西安工業大學通信與信息系統專業，獲碩士學位。長期深耕于汽車芯片領域，曾主導和參與IBS、BMS、車載壓力觸控、模擬前端、智能顯示驅動及多核汽車芯片等多種類型芯片的AEC-Q100認證項目，擅長基于IATF16949體系構建車規芯片的研發與生產測試流程，并在測試降本增效、可靠性持續監控以及端到端流程設計方面擁有豐富成功案例，是行業內兼具技術深度與落地能力的實踐型專家。
